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宏旺半导体告诉你SLC、MLC、TLC、QLC究竟有什么不同

2019-11-21 21:28:59

有很多朋友分不清Nand Flash、Nor Flash的不同,也搞不懂SLC、MLC、Parallel NOR Flash等究竟是什么意思,今天宏旺半导体就跟大家系统地梳理一下这些名词分别指什么,它们又有什么不同。

在了解这些之前,首先要了解什么是 Flash Memory。Flash Memory就是快闪存储器,即通常说的闪存,是一种非易失性存储器,断电数据也不会丢失。宏旺半导体了解到,根据硬件上存储原理的不同,Flash Memory 主要可以分为 NOR Flash 和NAND Flash 两类:

Nor FLASH使用方便,易于连接,可以在芯片上直接运行代码,稳定性出色,传输速率高,在小容量时有很高的性价比,很适合应用于嵌入式系统中作为 FLASH ROM。

相对于Nor FLASH,Nand FLASH强调更高的性能,更低的成本,更小的体积,更长的使用寿命。这使Nand FLASH很擅于存储纯资料或数据等,在嵌入式系统中用来支持文件系统。目前,绝大部分手机和平板等移动设备中所使用的 eMMC 内部的 Flash Memory ,都属于 NAND Flash。PC 中的固态硬盘中也是使用 NAND Flash。

NAND Flash根据存储方式可分为四种:SLC、MLC、TLC、QLC。SLC(Single-Level Cell )单层式存储,即1bit/cell,存储密度最低、写入数据时电压变化区间小,寿命最长约10万次擦写寿命,稳定性最好,多数应用高端企业级产品。

MLC(Multi-Level Cell)闪存,即2bit/cell,多层式存储,双层存储电子结构,存储密度高于SLC,寿命在3000-5000次,应用民用中高端SSD上。

TLC(Trinary-Level Cell)闪存,即3bit/cell,是目前最流行的闪存芯片,存储密度是MLC的1.5倍,成本更低,使用寿命也更短,在1000-1500次,但稳定性比较差。

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